半导体应用

　　随着半导体行业的不断发展和复杂化，对密封和密封系统的要求也越来越高。我们的FFKM材料非常适用于半导体加工中的极端条件，无论是在处理腐蚀性化学品还是高能系统方面。通过我们独有的聚合物和固化系统，我们能够简化各种应用所需的FFKM材料的种类。

　　弘芯氟醚可以为您的应用提供成本设计的解决方案，我们独特的固化和材料配方垂直整合回到单体，提供卓越的性能，并具有成本和交付方面的优势。

	工艺类型	典型密封温度	典型工艺环境	建议材料型号	典型应用
等离子处理工艺	PECVD	25~200℃	TMS, DEMS, TEOS, SiH₄ , C₃H₆ , NH₃ , SiF₄, O₂ , N₂O, NF₃	7062A2	动态密封：门、阀门、摆阀静态密封：腔室盖、排气阀、气体进/出口
	HDPCVD	25~200℃	TEOS, S iH₄, NH₃, SiF₄, O₂, C2 F₆, N₂O, NF₃, CF₄	7062A2
	聚合物/金属蚀刻	25~200℃	CF₄, CHF₃, HBr, BCl₃, CCl₄, Cl₂	7062A2
热处理工艺	LPCVD, ALD	25~300℃	Organic precursors, WF6 , T iCl₄, S iH₄, HF, F₂, Cl₂, ClF₃, NF₃, H₂O Vapor, O₂, O₃	7062A2	石英室密封、接头、增压密封、中心环
	Oxidation Diffusion	150~300℃	N₂, O₂, H₂O, HCl, Cl₂	6062W3
	Lamp Annel,RTP	150~300℃	抗红外吸收	6062W3
湿法工艺	晶圆准备	25~125℃	UPDI, Piranha, SC-1, SC-2,O₃,HF (49%)	7561B1	门/盖密封、排水密封件、化学品容器密封、过滤器/连接器密封、流量计密封
	刻蚀	25~180℃	HNO₃ , HF , H₂O , H₃ PO₄ , HNO₃,	7561B1
	光刻	25~125℃	H₂SO₄ +Oxidant, Organic Acids, nMP	7561B1
	Stripping	25~125℃	nMP/Alkanolamine Hydroxlamine	7561B1
	Copper Plating	25~100℃	Cu SO₄ Solution H₂ SO₄ , H₂O₂	7561B1